Кремниевые подложки (Si)
Кремниевые подложки применяются для изготовления дискретных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов), сверхбольших интегральных схем (СБИС) с тысячами полупроводниковых и пассивных элементов, микроэлектромеханических систем (МЭМС).
В размерном ряду представлены подложки толщиной 380, 420 и 460 мкм и диаметром 100 мм.
СВЧ техника
Оптоэлектроника и фотоника
Полупроводниковые приборы и датчики
Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ)
Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи)
| Диаметр, мм | 100 |
| Толщина, мкм | 380; 420; 460 |
| Отклонение от номинала, мкм | ± 25 |
| Кристаллографическая ориентация, ° | (100); (111) |
| Легирующая примесь | B или P |
| Марка | КДБ или КЭФ |
| Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
| Полировка | Двухсторонняя |
| TTV минимум, мкм | 2 |
| TTV стандарт, мкм | до 5 |
Ваш менеджер
Наталия Морозова
МоскваРуководитель проектов по направлению Оптомеханика