Подложки из арсенида галлия (GaAs)
Подложки из арсенида галлия, легированного кремнием. Используются в оптоэлектронике для изготовления инжекционных лазеров, свето- и фотодиодов, фотокатодов.
В размерном ряду представлены подложки толщиной 450 и 625 мкм и диаметром 100 мм.
СВЧ техника
Оптоэлектроника и фотоника
Полупроводниковые приборы и датчики
Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ)
Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи)
| Диаметр, мм | 100 |
| Толщина, мкм | 450; 625 |
| Отклонение от номинала, мкм | ± 25 |
| Кристаллографическая ориентация, ° | (100); (100)+10°; (111) А |
| Тип проводимости | N |
| Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
| Полировка | Двухсторонняя |
| Легирующая примесь | Si |
| Подвижность носителей заряда, см²/В·сек | > 1200 |
| Концентрация носителей заряда, см-3 | От 1·1017 до 3·1018 |
| Плотность дислокаций, см-2 | < 500 |
| TTV минимум, мкм | 2 |
| TTV стандарт, мкм | до 5 |
Ваш менеджер
Наталия Морозова
МоскваРуководитель проектов по направлению Оптомеханика