Монокристаллы арсенида галлия
Монокристаллы арсенида галлия, легированного кремнием, выращиваются методом BHK (VGF). Они обладают высокой проводимостью n-типа и низкой плотностью дислокаций. Используются для изготовления подложек для оптоэлектроники.
| Метод выращивания | VGF |
| Номинальный диаметр, мм | 100 |
| Отклонение от номинала, мкм | +1/-0 |
| Кристаллографическая ориентация, ° | (100) |
| Тип проводимости | N |
| Легирующая примесь | Si |
| Подвижность носителей заряда, см²/В·сек | > 1200 |
| Концентрация носителей заряда, см-3 | От 1·1017 до 3·1018 |
| Плотность дислокаций, см-2 | < 500 |
Ваш менеджер
Наталия Морозова
МоскваРуководитель проектов по направлению Оптомеханика