Кремниевые подложки (Si)
Кремниевые подложки применяются для изготовления дискретных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов), сверхбольших интегральных схем (СБИС) с тысячами полупроводниковых и пассивных элементов, микроэлектромеханических систем (МЭМС).
В размерном ряду представлены подложки толщиной 380, 420 и 460 мкм и диаметром 100 мм.
