Монокристаллы

Арсенид галлия (GaAs) - химическое соединение галлия и мышьяка, которое является полупроводниковым материалом широкой сферы применения в приборостроении.
Lassard Systems самостоятельно производит высококачественные монокристаллы арсенида галлия диаметром 100 мм методом вертикально-направленной кристаллизации (VGF) на установках KRONOS – 40.

Виды выпускаемых монокристаллов:

  • Легированные кремнием (лазерного качества);
  • Нелегированные (полуизолирующие)

Применение:

  • Сверхвысокочастотные интегральные схемы;
  • Светодиоды;
  • Лазерные диоды;
  • Диоды ганна;
  • Туннельные диоды;
  • Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
  • Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).

ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ:

Легированные кремнием (лазерного качества)
Метод выращивания VGF
Номинал диаметра слитка 100 мм
Кристаллографическая ориентация (100)
Тип проводимости n
Легирующая примесь Si
Подвижность носителей заряда > 1200 см2/В⋅сек
Концентрация носителей заряда от 1⋅1017 до 3⋅1018 см-3
Плотность дислокаций < 500 см-2

 

Нелегированные (полуизолирующие)
Метод выращивания VGF
Номинал диаметра слитка 100 мм
Кристаллографическая ориентация (100)
Тип проводимости n
Легирующая примесь нет
Подвижность носителей заряда > 5 ⋅103 см2/В⋅сек
Удельное сопротивление > 1⋅107 Ом⋅см
Плотность дислокаций < 5 ⋅103 см-2
Скачать буклет