ПОДЛОЖКИ КРЕМНИЯ (Si)

Подложки кремния являются самой распространенной основой для изготовления полупроводниковых приборов планарного типа различными видами эпитаксии (жидкостная, газофазная и молекулярно-лучевая), диффузии, имплантации.

Из кремниевых подложек изготавливаются как дискретные полупроводниковые приборы (диоды, транзисторы), так и сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) с тысячами полупроводниковых и пассивных элементов, микроэлектромеханические системы (МЭМС).

Кроме этого на основе кремниевых подложек изготавливают светодиоды, фотодиоды, фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи).

Преимущества

  • Номинальные диаметры подложек 76.2; 100 мм;
  • Изготовление подложек нестандартных размеров;
  • Изготовления подложек с TTV < 2 мкм, точной ориентацией плоскости и базовых срезов пластин с отклонением < 0.2o;
  • Готовность подложек к эпитаксиальному росту (Epi-ready);
  • Подложки упаковываются в индивидуальные контейнеры в чистых помещениях класса ISO-4 и помещаются в вакуумную упаковку в среде инертного газа.

Применение

  • СВЧ техника;
  • Оптоэлектроника и фотоника;
  • Полупроводниковые приборы и датчики
  • Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
  • Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ (Si)

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРЫ
Диаметр 76.2; 100 мм
Толщина 150; 380; 420; 460 мкм
Кристаллографическая ориентация (100); (111)
Легирующая примесь B или P
Марка КДБ или КЭФ
Ориентационные срезы по стандарту SEMI EJ
TTV минимум/стандарт 2/5 мкм
Полировка одно- или двухсторонняя