Подложки кремния являются самой распространенной основой для изготовления полупроводниковых приборов планарного типа различными видами эпитаксии (жидкостная, газофазная и молекулярно-лучевая), диффузии, имплантации.
Из кремниевых подложек изготавливаются как дискретные полупроводниковые приборы (диоды, транзисторы), так и сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) с тысячами полупроводниковых и пассивных элементов, микроэлектромеханические системы (МЭМС).
Кроме этого на основе кремниевых подложек изготавливают светодиоды, фотодиоды, фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи).
ХАРАКТЕРИСТИКИ | ПАРАМЕТРЫ |
Диаметр | 76.2; 100 мм |
Толщина | 150; 380; 420; 460 мкм |
Кристаллографическая ориентация | (100); (111) |
Легирующая примесь | B или P |
Марка | КДБ или КЭФ |
Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
Полировка | одно- или двухсторонняя |