Подложки кремния являются самой распространенной основой для изготовления полупроводниковых приборов планарного типа различными видами эпитаксии (жидкостная, газофазная и молекулярно-лучевая), диффузии, имплантации.
Из кремниевых подложек изготавливаются как дискретные полупроводниковые приборы (диоды, транзисторы), так и сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) с тысячами полупроводниковых и пассивных элементов, микроэлектромеханические системы (МЭМС).
Кроме этого на основе кремниевых подложек изготавливают светодиоды, фотодиоды, фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи).
Преимущества
- Номинальные диаметры подложек 76.2; 100 мм;
- Изготовление подложек нестандартных размеров;
- Изготовления подложек с TTV < 2 мкм, точной ориентацией плоскости и базовых срезов пластин с отклонением < 0.2o;
- Готовность подложек к эпитаксиальному росту (Epi-ready);
- Подложки упаковываются в индивидуальные контейнеры в чистых помещениях класса ISO-4 и помещаются в вакуумную упаковку в среде инертного газа.
Применение
- СВЧ техника;
- Оптоэлектроника и фотоника;
- Полупроводниковые приборы и датчики
- Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
- Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ (Si)
| ХАРАКТЕРИСТИКИ | ПАРАМЕТРЫ |
| Диаметр | 76.2; 100 мм |
| Толщина | 150; 380; 420; 460 мкм |
| Кристаллографическая ориентация | (100); (111) |
| Легирующая примесь | B или P |
| Марка | КДБ или КЭФ |
| Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
| TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
| Полировка | одно- или двухсторонняя |