ПОДЛОЖКИ ГЕРМАНИЯ (Ge)

Подложки из низкодислокационного германия применяются для изготовлении фотоэлектрических преобразователей ФЭП (солнечных батарей) для космических аппаратов.

ФЭП изготавливают осаждением металлорганических соединений из газообразной фазы на подложку. Изготовленные солнечные батареи на основе германиевых подложек имеют высокую эффективность преобразования солнечного света в электрическую энергию (КПД).

ПРЕИМУЩЕСТВА НАШИХ ПОДЛОЖЕК:

  • Номинальные диаметры подложек 76.2; 100 мм;
  • Изготовление подложек нестандартных размеров;
  • Изготовления подложек с TTV < 2 мкм, точной ориентацией плоскости и базовых срезов пластин с отклонением < 0.2o;
  • Готовность подложек к эпитаксиальному росту (Epi-ready);
  • Подложки упаковываются в индивидуальные контейнеры в чистых помещениях класса ISO-4 и помещаются в вакуумную упаковку в среде инертного газа;
  • Возможно изготовление подложек из монокристаллов AIIIBV (InAs, GaSb, InSb).

Применение:

  • СВЧ техника;
  • Оптоэлектроника и фотоника;
  • Полупроводниковые приборы и датчики;
  • Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
  • Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).

Технические характеристики подложек АРСЕНИДА ГЕРМАНИЯ (Ge):

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРЫ
Диаметр 100 мм
Толщина 175 мкм
Кристаллографическая ориентация (100)+6о(111)
Тип проводимости p
Легирующая примесь Ga
Удельное сопротивление 0.01-0,04 Ом•см
Концентрация носителей заряда от 1•1018 до 4•1018 см3
Плотность дислокаций < 500 см-2
Ориентационный срез в направлении (100)
Полировка односторонняя