Подложки арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций используются для изготовления горизонтально и вертикально излучающих светодиодных и лазерных структур, фотоприемных устройств, в том числе матричных фотоприемников и солнечных батарей с высокой степенью эффективности.
Приборные структуры на подложке изготавливают осаждением металлорганических соединений из газообразной фазы или молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ; МПЭ, англ. molecular beam epitaxy сокр., MBE) путем наращивания на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ, заключающееся в осаждении испаренных компонентов на нагреваемую монокристаллическую подложку с одновременным взаимодействием между ними.
Преимущества
- Номинальные диаметры подложек 76.2; 100 мм;
- Изготовление подложек нестандартных размеров;
- Изготовления подложек с TTV < 2 мкм, точной ориентацией плоскости и базовых срезов пластин с отклонением < 0.2° ;
- Готовность подложек к эпитаксиальному росту (Epi-ready);
- Подложки упаковываются в индивидуальные контейнеры в чистых помещениях класса ISO-4 и помещаются в вакуумную упаковку в среде инертного газа;
- Возможно изготовление подложек из монокристаллов AIIIBV (InAs, GaSb, InSb).
Применение
- СВЧ техника;
- Оптоэлектроника и фотоника;
- Полупроводниковые приборы и датчики
- Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
- Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОДЛОЖЕК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs)
| ХАРАКТЕРИСТИКИ | ПАРАМЕТРЫ |
| Диаметр | 76.2; 100 мм |
| Толщина | 450; 625 мкм |
| Кристаллографическая ориентация | (100) или (100)+10°(111) А |
| Тип проводимости | n |
| Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
| TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
| Полировка | одно- или двухсторонняя |