Подложки арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций используются для изготовления горизонтально и вертикально излучающих светодиодных и лазерных структур, фотоприемных устройств, в том числе матричных фотоприемников и солнечных батарей с высокой степенью эффективности.
Приборные структуры на подложке изготавливают осаждением металлорганических соединений из газообразной фазы или молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ; МПЭ, англ. molecular beam epitaxy сокр., MBE) путем наращивания на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ, заключающееся в осаждении испаренных компонентов на нагреваемую монокристаллическую подложку с одновременным взаимодействием между ними.
ХАРАКТЕРИСТИКИ | ПАРАМЕТРЫ |
Диаметр | 76.2; 100 мм |
Толщина | 450; 625 мкм |
Кристаллографическая ориентация | (100) или (100)+10°(111) А |
Тип проводимости | n |
Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
Полировка | одно- или двухсторонняя |