ПОДЛОЖКИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs)

Подложки арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций используются для изготовления горизонтально и вертикально излучающих светодиодных и лазерных структур, фотоприемных устройств, в том числе матричных фотоприемников и солнечных батарей с высокой степенью эффективности.

Приборные структуры на подложке изготавливают осаждением металлорганических соединений из газообразной фазы или молекулярно-лучевой эпитаксией, (МЛЭ; МПЭ, англ. molecular beam epitaxy сокр., MBE), путем наращивания на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ, заключающееся в осаждении испаренных компонентов на нагреваемую монокристаллическую подложку с одновременным взаимодействием между ними.

ПРЕИМУЩЕСТВА НАШИХ ПОДЛОЖЕК:

  • Номинальные диаметры подложек 76.2; 100 мм;
  • Изготовление подложек нестандартных размеров;
  • Изготовления подложек с TTV < 2 мкм, точной ориентацией плоскости и базовых срезов пластин с отклонением < 0.2o;
  • Готовность подложек к эпитаксиальному росту (Epi-ready);
  • Подложки упаковываются в индивидуальные контейнеры в чистых помещениях класса ISO-4 и помещаются в вакуумную упаковку в среде инертного газа;
  • Возможно изготовление подложек из монокристаллов AIIIBV (InAs, GaSb, InSb).

Применение:

  • СВЧ техника;
  • Оптоэлектроника и фотоника;
  • Полупроводниковые приборы и датчики;
  • Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
  • Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).

Технические характеристики подложек АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs):

Характеристики Параметры
Диаметр 76.2; 100 мм
Толщина 450; 625 мкм
Кристаллографическая ориентация (100) или (100)+10о(111) А
Тип проводимости n
Ориентационные срезы по стандарту SEMI EJ
TTV минимум/стандарт  2/5 мкм
Полировка одно- или двухсторонняя