Применение
- Сверхвысокочастотные интегральные схемы;
- Светодиоды;
- Лазерные диоды;
- Диоды ганна;
- Туннельные диоды;
- Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
- Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).
ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Легированные кремнием (лазерного качества):
| Характеристики | Параметры |
| Метод выращивания | VGF |
| Номинал диаметра слитка | 100 мм |
| Кристаллографическая ориентация | (100) |
| Тип проводимости | n |
| Легирующая примесь | Si |
| Подвижность носителей заряда | > 1200 см2/В⋅сек |
| Концентрация носителей заряда | от 1⋅1017 до 3⋅1018 см-3 |
| Плотность дислокаций | < 500 см-2 |
ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Нелегированные (полуизолирующие):
| Характеристики | Параметры |
| Метод выращивания | VGF |
| Номинал диаметра слитка | 100 мм |
| Кристаллографическая ориентация | (100) |
| Тип проводимости | n |
| Легирующая примесь | нет |
| Подвижность носителей заряда | > 5 ⋅103 см2/В⋅сек |
| Удельное сопротивление | > 1⋅107 Ом⋅см |
| Плотность дислокаций | < 5 ⋅103 см-2 |