МОНОКРИСТАЛЛЫ

Применение

  • Сверхвысокочастотные интегральные схемы;
  • Светодиоды;
  • Лазерные диоды;
  • Диоды ганна;
  • Туннельные диоды;
  • Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
  • Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).

ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Легированные кремнием (лазерного качества):

Характеристики Параметры
Метод выращивания VGF
Номинал диаметра слитка 100 мм
Кристаллографическая ориентация (100)
Тип проводимости n
Легирующая примесь Si
Подвижность носителей заряда > 1200 см2/В⋅сек
Концентрация носителей заряда от 1⋅1017 до 3⋅1018 см-3
Плотность дислокаций < 500 см-2

ПАРАМЕТРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Нелегированные (полуизолирующие):

Характеристики Параметры
Метод выращивания VGF
Номинал диаметра слитка 100 мм
Кристаллографическая ориентация (100)
Тип проводимости n
Легирующая примесь нет
Подвижность носителей заряда > 5 ⋅103 см2/В⋅сек
Удельное сопротивление > 1⋅107 Ом⋅см
Плотность дислокаций < 5 ⋅103 см-2