Характеристики | Параметры |
Метод выращивания | VGF |
Номинал диаметра слитка | 100 мм |
Кристаллографическая ориентация | (100) |
Тип проводимости | n |
Легирующая примесь | Si |
Подвижность носителей заряда | > 1200 см2/В⋅сек |
Концентрация носителей заряда | от 1⋅1017 до 3⋅1018 см-3 |
Плотность дислокаций | < 500 см-2 |
Характеристики | Параметры |
Метод выращивания | VGF |
Номинал диаметра слитка | 100 мм |
Кристаллографическая ориентация | (100) |
Тип проводимости | n |
Легирующая примесь | нет |
Подвижность носителей заряда | > 5 ⋅103 см2/В⋅сек |
Удельное сопротивление | > 1⋅107 Ом⋅см |
Плотность дислокаций | < 5 ⋅103 см-2 |