ВИДЫ ВЫПУСКАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК:
- Подложки арсенида галлия (GaAs);
- Подложки германия (Ge);
- Подложки кремния (Si);
- Возможно изготовление подложек из монокристаллов AIIIBV (InAs, GaSb, InSb).
ПРЕИМУЩЕСТВА НАШИХ ПОДЛОЖЕК:
- Номинальные диаметры подложек 76.2; 100 мм;
- Изготовление подложек нестандартных размеров;
- Изготовления подложек с TTV < 2 мкм, точной ориентацией плоскости и базовых срезов пластин с отклонением < 0.2o;
- Готовность подложек к эпитаксиальному росту (Epi-ready);
- Подложки упаковываются в индивидуальные контейнеры в чистых помещениях класса ISO-4 и помещаются в вакуумную упаковку в среде инертного газа.
Применение:
- СВЧ техника;
- Оптоэлектроника и фотоника;
- Полупроводниковые приборы и датчики
- Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
- Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).
| ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs): | |
| Диаметр | 76.2; 100 мм |
| Толщина | 450; 625 мкм |
| Кристаллографическая ориентация | (100) или (100)+10о(111) А |
| Тип проводимости | n |
| Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
| TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
| Полировка | одно- или двухсторонняя |
| ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК ГЕРМАНИЯ (Ge): | |
| Диаметр | 100 мм |
| Толщина | 175 мкм |
| Кристаллографическая ориентация | (100)+6°(111) |
| Тип проводимости | p |
| Легирующая примесь | Ga |
| Удельное сопротивление | 0.01-0,04 Ом⋅см |
| Концентрация носителей заряда | от 1⋅1018 до 4⋅1018 см-3 |
| Плотность дислокаций | < 500 см-2 |
| Ориентационный срез в направлении | (100) |
| Полировка | односторонняя |
| ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ (Si): | |
| Диаметр | 76.2; 100 мм |
| Толщина | 150; 380; 420; 460 мкм |
| Кристаллографическая ориентация | (100); (111) |
| Легирующая примесь | B или P |
| Марка | КДБ или КЭФ |
| Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
| TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
| Полировка | одно- или двухсторонняя |