Подложки Epi-ready

Lassard Systems производит высококачественные подложки из монокристаллов, выращенных методами VGF и Чохральского.

ВИДЫ ВЫПУСКАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК:

  • Подложки арсенида галлия (GaAs);
  • Подложки германия (Ge);
  • Подложки кремния (Si);
  • Возможно изготовление подложек из монокристаллов AIIIBV (InAs, GaSb, InSb).

ПРЕИМУЩЕСТВА НАШИХ ПОДЛОЖЕК:

  • Номинальные диаметры подложек 76.2; 100 мм;
  • Изготовление подложек нестандартных размеров;
  • Изготовления подложек с TTV < 2 мкм, точной ориентацией плоскости и базовых срезов пластин с отклонением < 0.2o;
  • Готовность подложек к эпитаксиальному росту (Epi-ready);
  • Подложки упаковываются в индивидуальные контейнеры в чистых помещениях класса ISO-4 и помещаются в вакуумную упаковку в среде инертного газа.

Применение:

  • СВЧ техника;
  • Оптоэлектроника и фотоника;
  • Полупроводниковые приборы и датчики
  • Фотоэлектрические преобразователи (солнечные батареи);
  • Фотоприёмные устройства (ФПУ, МФПУ).
ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs):
Диаметр 76.2; 100 мм
Толщина 450; 625 мкм
Кристаллографическая ориентация (100) или (100)+10о(111) А
Тип проводимости n
Ориентационные срезы по стандарту SEMI EJ
TTV минимум/стандарт  2/5 мкм
Полировка одно- или двухсторонняя

 

ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК ГЕРМАНИЯ (Ge):
Диаметр 100 мм
Толщина 175 мкм
Кристаллографическая ориентация (100)+6°(111)
Тип проводимости p
Легирующая примесь Ga
Удельное сопротивление 0.01-0,04 Ом⋅см
Концентрация носителей заряда от 1⋅1018 до 4⋅1018 см-3
Плотность дислокаций < 500 см-2
Ориентационный срез в направлении (100)
Полировка односторонняя

 

ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ (Si):
Диаметр 76.2; 100 мм
Толщина 150; 380; 420; 460 мкм
Кристаллографическая ориентация (100); (111)
Легирующая примесь B или P
Марка КДБ или КЭФ
Ориентационные срезы по стандарту SEMI EJ
TTV минимум/стандарт  2/5 мкм
Полировка одно- или двухсторонняя
Скачать буклет