Lassard Systems производит высококачественные подложки из монокристаллов, выращенных методами VGF и Чохральского.
ВИДЫ ВЫПУСКАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК:
ПРЕИМУЩЕСТВА НАШИХ ПОДЛОЖЕК:
Применение:
ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GaAs): | |
Диаметр | 76.2; 100 мм |
Толщина | 450; 625 мкм |
Кристаллографическая ориентация | (100) или (100)+10о(111) А |
Тип проводимости | n |
Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
Полировка | одно- или двухсторонняя |
ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК ГЕРМАНИЯ (Ge): | |
Диаметр | 100 мм |
Толщина | 175 мкм |
Кристаллографическая ориентация | (100)+6°(111) |
Тип проводимости | p |
Легирующая примесь | Ga |
Удельное сопротивление | 0.01-0,04 Ом⋅см |
Концентрация носителей заряда | от 1⋅1018 до 4⋅1018 см-3 |
Плотность дислокаций | < 500 см-2 |
Ориентационный срез в направлении | (100) |
Полировка | односторонняя |
ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ (Si): | |
Диаметр | 76.2; 100 мм |
Толщина | 150; 380; 420; 460 мкм |
Кристаллографическая ориентация | (100); (111) |
Легирующая примесь | B или P |
Марка | КДБ или КЭФ |
Ориентационные срезы по стандарту | SEMI EJ |
TTV минимум/стандарт | 2/5 мкм |
Полировка | одно- или двухсторонняя |