Опытное производство

Опытное производство играет существенную роль в процессе выполнения и завершении опытно-конструкторской или научно-исследовательской работы, а также подготовке проектно-конструкторской документации.

Именно поэтому компанией Lassard Systems организовано опытное производство для создания инновационных видов продукции и технологических процессов.

 

Виды работ, которые мы предлагаем:

 

1.  Выращивание низко дислокационных монокристаллов арсенида галлия (GaAs) методом VGF:

  • Диаметр – до 102,5 мм;
  • Кристаллографическая ориентация оси кристалла – согласно техническому заданию Заказчика;
  • Плотность дислокаций - 5·102 см2.

 

2. Производство подложек для последующего производства эпитаксиальных гетероструктур, качества «Epi-Ready» из кремния, германия, группы AIIIBV, группы AIIBVI.

 

3. Прецизионная резка монокристаллов кремния, германия, группы AIIIBV, группы AIIBVI, сапфира (лейкосапфира), карбида кремния (SiC), керамики, стекла и других материалов из заготовок со следующими основными параметрами:

  • Максимальные размеры исходных кристаллов до 110х110х550мм;
  • Толщина готовых пластин от 250 мкм.

 

4. Производство полупроводниковых подложек одно- и двусторонне полированных для эпитаксии и оптики, из кремния (Si), германия (Ge), полупроводниковых материалов группы AIIIBV: арсенида галлия (GaAs), арсенида индия (InAs), антимонида индия (InSb), антимонида галлия (GaSb), фосфида галлия (GaP), фосфида индия (InP) со следующими основными геометрическими характеристиками:

  • Диаметр 3 дюйма (76,2 мм) по стандарту SEMI;
  • Диаметр 4 дюйма (100 мм) по стандарту SEMI;
  • Нестандартные.

 

5. Прецизионное шлифование и полирование плоскопараллельных тонких пластин размером до 150 мм с TTV до 1 мкм.

 

6.  Производство эпитаксиальных гетероструктур на полупроводниковых подложках методом газофазной эпитаксии MOCVD и методом молекулярно-лучевой эпитаксии MBE.

 

7.   Измерение геометрических характеристик плоских образцов TTV, TIR, Warp, Bow, Ra, Rz.

 

8. Измерение электрофизических характеристик полупроводниковых образцов методом Холла, в том числе при 77К.

 

9.  Услуги по напылению различных тонкопленочных покрытий.

 

10. Разработка и изготовление лазерных элементов и систем по техническому заданию:

  • Полупроводниковые лазерные модули и системы накачки и прямого действия
  • Твердотельные лазеры
  • Волоконные лазеры и системы